半導體製程微縮有望！國立陽明交通大學今宣布，電機學院光電工程系講座教授劉柏村帶領團隊，開發「互補型場效電晶體技術」，可應用於單晶片三維積體電路，成功挑戰下世代埃米級積體電路技術，以打造更快速且低成本的小型晶片，為進一步的製程微縮帶來希望，成功刊登於國際知名學術期刊「尖端科學（Advanced Science）」。
劉柏村表示，這項國際合作的研發成果，具有下世代埃米級積體電路技術應用的極高價值，實現超高電晶體密度之異質晶片材料整合技術，並能在較低的功率損耗下，發揮高效能電晶體元件特性，將是接續「摩爾定律」之後，下一個引領半導體技術發展方向的重要指標。
劉柏村說明，近年來，隨著半導體技術與產業的快速發展，為了打破元件物理尺度微縮上的限制，並持續遵循摩爾定律（Moore’s law）發展軌跡，單晶片三維積體電路（M3D-ICs）的概念被提出，所謂M3D-IC技術是指電晶體的佈局結構將朝向多層級垂直堆疊邁進，在有限的面積下大幅提高電晶體元件數量的密度，並在未來有望能實現超越摩爾定律之目標，以打造更快速且低成本的小型晶片，為進一步的製程微縮帶來希望。
劉柏村團隊執行國科會推動的「A世代前瞻半導體專案計畫」，與玉山學者、美國德州農工大學教授郭育進行國際合作研究，結合材料、元件、電路三個不同的面向，開發可應用於單晶片三維積體電路之互補型場效電晶體技術（ CFET）。
劉柏村說明，研究團隊採用新穎的氧化銦鎢（a-IWO）半導體材料，能在通道只有約幾層原子的厚度下，展現優異的電流表現特性，並使邏輯電路成功達到高電壓增益、皮瓦特的極低靜態功耗，以及卓越且對稱的雜訊邊限等高效特性。
劉柏村指出，研究團隊用新穎的半導體材料及創新技術，克服了單晶片三維積體電路技術的技術挑戰，這項研究成果特性可媲美目前半導體工業所使用的矽基元件，達到更優越的電性效能。
【引述：自由時報／記者林曉雲／台北報導】
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