交大電機學院攜手環球晶圓成立化合物半導體研究中心 積極佈局碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)

隨著5G、電動車等科技加速發展，功率半導體需求隨之升溫。著眼於第三代半導體材料碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN) 的發展潛力，環球晶圓27日與交通大學正式簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料包含但不限於6吋~8吋碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN)，期能快速建立台灣的化合物半導體產業鏈。

陳信宏代理校長表示：「國立交通大學引領台灣半導體研究之先，例如台灣第一片矽晶圓是在交大實驗室完成的。交大結合校友力量，協助學校推動尖端研究，期望五至十年能有三至五個領域達到世界第一的目標，進而成就「偉大大學」之願景。」在本研究中心，交大電機學院團隊將整合跨尺度學理研究特色，並結合環球晶圓生產製程相關獨特技術，整合理論與實務共同開發創新之高產能相關化合物半導體晶圓製造技術，以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。

環球晶圓母公司中美矽晶榮譽董事長盧明光表示「碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN)是非常具有發展前景的半導體材料，在下一波產業5G、電動車…..高功率發電、高頻率的運用上是最關鍵的要素」，並特別強調「世界各國都視碳化矽 (SiC)為國家戰略發展之原料及技術，台灣應該將第三代半導體之發展列為國家科技政策、全力發展。與國立交通大學成立化合物半導體研究中心，是一個強強結盟的重要起步。」

相較於傳統的半導體矽材料，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN)這類寬能隙元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗；出色的性能適合在高溫高電流環境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導；其散熱性能優越，且高飽和電流適用於快速充電，這些卓越的特性適用在 5G 通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域，深具市場潛力，被視為功率半導體元件的明日之星。環球晶圓長期佈局化合物半導體材料，具有優秀的研發團隊與關鍵的專利技術；國立交通大學深耕半導體尖端研究已久，擁有豐沛技術能量與優秀研發人才，透過共同合作建立化合物半導體研究中心，可藉由產學合作整合並放大研究能量，快速將研發成果導入產業應用，提高台灣化合物半導體產業鏈能見度，並藉此建立未來國際領先優勢。