Page 40 - 陽明交大電機學院院刊

IEDM 本院教師近五年獲選名單：(2019-2023)

年度 系所稱 姓名 論文題目

陽明交大電子所：
侯拓宏老師、禚鎮毅同學、 Wake-Up of Ultrathin Ferroelectric

電子所 趙子儀同學、林子耀同學 Hf0.5Zr0.5O2: The Origin and Physical
王怡婷博士(TSRI) Modeling
ITRI 團隊、台積電團隊

陽明交大電子所：
簡昭欣教授、邱信淵同學 Low N-Type Contact Resistance to
電子所 陽明交大電物系團隊 Carbon Nanotubes in Highly Scaled
台積電團隊 Contacts through Dielectric Doping
2023
台灣儀器科技研究中心團隊
陳科宏教授團隊
Tz-Wun Wang, Chang-Lin Go,

Sheng-Hsi Hung, Chi-Yu Chen, Po-
Jui Chiu, Ke-Horng Chen, Kuo-Lin ESD HBM 3kV Discharge for Monolithic
電機系
Zheng(晶炫半導體), Ying-Hsi GaN-on-Si HEMTs Intergrated Chips
Lin(瑞昱半導體), Tsung-Yen

Tsai(瑞昱半導體), Shian-Ru Lin(瑞
昱半導體)

First Demonstration of GAA Monolayer-
簡昭欣教授、台積電、TIRI、
電子所 MoS2 Nanosheet nFET with 410 μA/μm
NARL等團隊
ID at 1V VD at 40nm gate length,

Investigation of Defect Engineering
電子所 侯拓宏教授、台積電等團隊 Toward Prolonged Endurance for HfZrO
Based Ferroelectric Device (Invited)

侯拓宏教授、蘇彬教授、向國瑜同 Novel Opposite Polarity Cycling
學、陳奕銓同學、李敏鴻教授(臺 Recovery (OPCR) of HfZrO2
電子所
2022 師大)、黃柏蒼(國半院)、劉致為教 Antiferroelectric-RAM with an Access
授(臺大) Scheme Toward Unlimited Endurance

侯拓宏教授、王怡婷博士、黃欣慧
Highly Reliable, Scalable, and High-
同學、禚鎮毅同學、林子耀同學、
電子所 Yield HfZrOx FRAM by Barrier Layer
黃子軒同學、吳明鴻同學、工研院
團隊、中央大學團隊 Engineering and Post-Metal Annealing

柯明道教授、吳維旻同學、吳添立 Comprehensive Investigations of HBM

電子所 教授(國半院)、施俊安同學(國半 ESD Robustness for GaN-on-Si RF
院)、imec團隊 HEMTs

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